Статьи в Российских Периодических Изданиях

Патент на полезную модель №152284.
«Термостабилизированный сканирующий конфокальный интерферометр».

Заявка 2014145454 с приоритетом от 13.11.2014.

Авторы: В.В.Васильев, Е.А.Петрухин.

Патент на изобретение №2354020.
«Устройство полупроводникового лазера с внешним резонатором с возможностью непрерывной перестройки частоты».

Заявка 2006137438 с приоритетом от 24.10.2006.

Автор: В.В.Васильев.


Двойная структура резонанса насыщенного поглощения на открытом атомном переходе.

В.В. Васильев, В.Л. Величанский, С.А. Зибров, А.В. Сивак, Д.В. Бражников, А.В. Тайченачев, В.И. Юдин

ЖЭТФ, 139, 5, 883 (2011).

Лазерные стандарты частоты в ФИАНе.

В.Л. Величанский, М.А. Губин

Успехи Физических Наук, 179, 1219 (2009).

Перестраиваемый и стабилизированный по частоте лазер для исследования динамики охлаждения атомов Rb в магнитооптической ловушке.

А.В. Яровицкий, О.Н. Прудников, В.В. Васильев, В.Л. Величанский, О.А. Разин, И.В. Шерстов, А.В. Тайченачев, В.И. Юдин
Квантовая Электроника, 34, 341 (2004).

Перестраиваемый инжекционный лазер с генерацией ортогонально поляризованных мод излучения.

А.Б. Фадюшин, В.Л. Величанский, М.Д. Лукин, Н.В. Сенков, М. Скалли, М. Фляйшхауэр
Квантовая Электроника, 32, 597 (2002).

Высококогерентный инжекционный лазер с оптической обратной связью через микрорезонатор с модами типа «шепчущей галереи».

В.В. Васильев, В.Л. Величанский, М.Л. Городецкий, В.С. Ильченко, Л. Хольберг, А.В. Яровицкий
Квантовая Электроника, 23, 675 (1996).

Влияние кривизны волнового фронта на характеристики инжекционного лазера с внешним резонатором.

В.Л. Величанский, А.К. Чернышов
Квантовая Электроника, 23, 233 (1996).

Пределы непрерывной перестройки частоты инжекционных лазеров с внешним селективным резонатором.

А.В. Яровицкий, В.Л. Величанский

Квантовая Электроника, 22, 796 (1995).

Перестроечные характеристики инжекционного лазера с коротким внешним дисперсионным резонатором.

Ю.А. Быковский, В.Л. Величанский, И.Г. Гончаров, А.П. Грачёв, А.С. Зибров, С.И. Коваль, Г.Т. Пак

Квантовая Электроника, 16, 6 (1989).

Гетеродинное измерение ширины линии генерации инжекционных лазеров в режиме стабилизации частоты биений.

А.М. Акульшин, Н.Г. Басов, В.Л. Величанский, А.С. Зибров, М.В. Зверков, В.В. Никитин, О.Г. Охотников, Н.В. Сенков, В.А. Саутёнков,
Д.А. Тюриков, Е.К. Юркин

Квантовая Электроника, 10, 8 (1983).